现在，全球智能卡芯片市场需求巨大,竞赛十分剧烈，而当时国内干流智能卡工艺依然停留在较低的130纳米水平，比较世界上干流的90纳米存在必定的距离。国内芯片公司为了更好参加世界竞赛，必需要供给更存在竞赛力的产品。
我国电子与国内半导体制作商进行战略协作，活跃安排研制力气，协作开发根据55纳米工艺的智能卡芯片产品，获得了多项成果。一是将闪存出产工艺嵌入到55纳米逻辑工艺中，处理了嵌入式闪存工艺流程杂乱和深邃宽比沟槽阻隔等难题，提升了存储器材电学特性和可靠性，擦写可靠性达25年/50万次。二是经过集成电路设计立异，提高了55纳米工艺智能卡芯片产品模仿电路系统的精度、鲁棒性和抗干扰性，确保了产品高良品率、高可靠性和大规模出产健壮性。三是经过工艺集成立异，成功完成了与55纳米纯逻辑工艺渠道百分之百兼容，一切尺度的逻辑中心器材和输入输出器材电学参数坚持不变，完成逻辑工艺库和IP的复用。四是完成了可靠性测验办法立异，经过软件增强可靠性办法、圆片级可靠性测验和产等第可靠性测验等点评办法，确保了产品质量和一年半开发周期，确认确保产品快速上市。相关这类的产品是全球智能卡范畴第一个完成了大规模安稳量产的55纳米智能卡芯片产品，良品率安稳在97%以上。
该项目获得包含世界专利在内的发明专利10项，软件著作权1项，集成电路布图3项，带动了芯片制作、芯片测验与封装、模块封装与测验、成卡测验与封装等产业链上多个环节的自主加快速度进行开展，满意了国内4G通讯激增的换卡需求，具有十分显着的经济和社会效益。
