注： 电容并联滤波，去耦，一般并联值的关系为10倍；为了安全，常会串联一个保险管之类。
关于单板的电源输入侧， 出于上电特性及热插拔的需求， 需求加π型滤波电路。
其间， C1 为输入侧的输入电容， L 为输入电感， C2 为π型滤波电路的输出侧电容； C1 的最大的意图是为了约束上电瞬间的电压上升率，并滤除输入侧电路由电源引进的纹波，因此， C1 一般是由直流电容及沟通电容组成的并联电容组，其间直流电容的最大的效果是去除电容中的纹波，而沟通电容的最大的效果是为了去耦。
从参数及器材挑选上，输入侧一般选取钽电容，去耦电容的值为0.01uf ~1uf 之间，针式或贴片均可，但从出产的根本工艺的视点，则以选取贴片为佳，引荐的参数为直流电容 10uf，沟通电容 0.1uf。
电感的效果为按捺电流改变率，电感越大，限制效果越好，但一起电感太大时的上电特性欠好，上电及下电时，电感两头会发生反电势，这样会对后边的负载发生必定的影响，故参数不宜过大，因此引荐的参数为 10uH。
输出侧的电容不只要完结去耦及滤纹波的效果，并且还须保持滤波后电平不受电感反电势的影响， 统筹考虑板内负载巨细及板内其他去耦电容的数量， 引荐参数为直流电容 10uf，沟通电容 0.01~1uf。
注：VTREF)接口信号电平参阅电压一般直接衔接Vsupply。（比方3.3V仍是5.0V）
单板内部的器材功耗及驱动才能各不相同，这样在器材衔接时的灌电流才能不完全相同，衔接上会有驱动问题，此刻需求加上拉电阻。
板内或板间器材选取各不相同，信号电平特性各不相同，出于兼容性的考虑，须加上拉电阻以确保兼容性。
单个器材在上电时要求某些管脚的初始电平固定为高，此刻有必要加上拉电阻以确保器材能战场的作业。
关于 A， B，一般的上拉电阻选取 2K~1M 欧姆，视负载状况而定，重负载时电阻应选取接近下限，轻负载时选取上限，这儿的负载以器材功耗目标来确认；关于上述 C 的状况，则以该种器材的数据特性来决议。
板内或板间器材选取各不相同，信号电平特性各不相同，出于兼容性的考虑，须加下拉电阻以确保兼容性。
板内或板间的信号频率较高或信号上升沿较陡时，需求加端接电阻下拉到地，一般此刻经常性的会再串入一个恰当的电容。
单个器材在上电时要求某些管脚的初试电平固定为低，此刻有必要加下拉电阻以确保器材能战场的作业。
关于 A，下拉电阻一般选取 1K~100K 欧姆，视负载电平状况而定， CMOS 电平的负载，电阻应选取下限， TTL 电平常选取上限，这儿的电平以负载目标来确认；关于上述 B 的状况，一般选取75~150 欧姆的电阻；关于上述 C 的状况，则以该种器材的数据特性来决议；器材一般以金属膜的电阻或阻排为准。
